热沉尺寸对半导体激光器有源区温度的影响  

Influences of the Dimension of Heat Sink on the Temperature of Active Region in Semiconductor Laser

作　　者：王文[1] 许留洋[1] 王云华[1] 周路[1] 白端元[1] 高欣[1] 薄报学[1] 

机构地区：[1]长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022

出　　处：《半导体光电》2013年第5期765-769,共5页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家自然科学基金项目(61177019;61176048)

摘　　要：半导体激光器随着输出功率的提高在各领域的应用日益广泛,但芯片温度升高引起的功率饱和问题仍然是目前研究的重点之一。利用ANSYS软件对工作波长为808nm的单芯片半导体激光器的芯片有源区温度与封装热沉尺寸的关系进行了稳态热分析,模拟得出不同热沉参数条件下封装激光器芯片有源区温度的变化曲线,并提出一种散热较好的结构方案。With the improvement of the output applications are increasingly spreaded, but the power satur is the focus of current studies. In this paper, aiming at laser, the relation of the temperature of the active region power of semiconductor laser, its ation caused by temperature increment the 808 nm single-chip semiconductor with the dimension of the packaging simulations, and a better heat dissipation structure was put forward.

关 键 词：单芯片半导体激光器 有源区 热沉 ANSYS 稳态热分析 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]