恒电位法制备氧化亚铜薄膜工艺的研究  

Preparation Technics of Cu_2O Films by Potentiostaic Method

作　　者：刘昌龄[1] 吴世彪[2] 徐海燕[2] 陶方涛 吴世龙[2] 周醒[1] 

机构地区：[1]合肥师范学院化学化工系,安徽合肥230061 [2]安徽建筑大学材料与化学工程学院,安徽合肥230022

出　　处：《合肥师范学院学报》2013年第6期43-45,共3页Journal of Hefei Normal University

基　　金：教育部科学技术研究重点项目(No.211075);国家级大学生创新创业训练计划项目(NO.201310878010)

摘　　要：本文探索了以CuSO4·5H2O为铜源,乳酸为络合剂,应用恒电位法在导电玻璃（ITO）上沉积Cu2O薄膜的工艺条件.主要研究了Cu2＋与络合剂乳酸的摩尔比、络合时间、溶液的pH及电镀面积对薄膜结构的影响规律.通过X-射线衍射分析（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对其结构和形貌进行了表征.结果表明：在Cu2＋与乳酸的摩尔比为1∶4～1∶7,pH=9～11的特定参数范围内的Cu2O膜为砖红色,膜面均匀致密,属于立方晶系结构,晶体择优（200）面生长.The EWB software is powerful, intuitive and easytouse, which is often used in design and simu lation of electronic circuits. It can not only improve the analytical ability of designer and deepen under standing of the basic concept and theory, but can cultivate innovative thinking and design ability. There fore, it is a very effective tool.

关 键 词：电沉积 氧化亚铜 薄膜 工艺 因素 

分 类 号：O614.12[理学—无机化学]