柔性衬底非晶硅/非晶硅锗叠层太阳电池  

AMORPHOUS SILICON /AMORPHOUS SILICON GERMANIUM TANDEM SOLAR CELLS ON FLEXIBLE SUBSTRATES

作　　者：刘成[1] 徐正军[1] 杨君坤[1] 

机构地区：[1]上海空间电源研究所,上海200245

出　　处：《太阳能学报》2013年第12期2191-2195,共5页Acta Energiae Solaris Sinica

基　　金：国防基础科研计划(B0320110005);国家高技术研究发展(863)计划(2011AA050503)

摘　　要：首先研究沉积温度对p型材料的影响,并应用于非晶硅锗单结太阳电池,发现在140℃下沉积的p层最适合,这与非晶硅太阳电池有较大差别。其次研究3种不同结构隧穿结对叠层太阳电池性能的影响,发现p+-nc-Si/n+-a-Si隧穿结最优。在上述基础上,获得效率为11.21%的柔性聚酰亚胺衬底非晶硅/非晶硅锗叠层太阳电池。The investigation of amorphous silicon/amorphous silicon germanium （a-Si/a-SiGe） tandem solar cells on flexible polyimide substrates was reported. It is found that the ideal p-layer for a-Si solar cells is not appropriate for a-SiGe solar cells. The P-layer deposited at 140℃ is the best for a-SiGe solar cells. Tunnel recombination junction with p＋ -nc-Si/n＋ -a-Si is appropriate for a-Si/a-SiGe tandem solar cells. Finally, an a-Si/a-SiGe tandem solar cell on flexible polyimide substrate with conversion efficiency of 11.21% is achieved.

关 键 词：柔性衬底 非晶硅 非晶硅锗 叠层太阳电池 隧穿结 

分 类 号：O484[理学—固体物理] TK514[理学—物理]