a-SiN_x∶H薄膜的室温光致发光  

Strong Room Temperature Photoluminescence of a-SiN_x ∶H Films

作　　者：岳瑞峰[1] 王燕[1] 李国华[2] 廖显伯[3] 王永谦[3] 刁宏伟[3] 孔光临[3] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所,北京100084 [2]中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京100083 [3]中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室,北京100083

出　　处：《真空科学与技术》2000年第6期390-393,共4页Vacuum Science and Technology

基　　金：国家自然科学基金青年基金!资助项目 (5 970 2 0 0 5 )

摘　　要：研究了a SiNx∶H薄膜中不同氮含量样品的室温光致发光。当x≥ 0 .5时 ,在室温下观察到了较强的室温荧光 ,而且随氮含量增加 ,发光峰能量与强度不断增加。首次发现在富硅 (x≤ 1.3)样品中存在两种荧光机制 ,其临界值位于x =0 .8。当x≤ 0 .8时 ,样品表现为与a Si∶H类似的荧光特性及温度特性 ;当x >0 .8时 ,荧光强度和峰位均有大的增加 ,归一化后的低温和室温的荧光谱几乎完全重合。最后 ,采用量子限制模型并结合渗流理论解释了实验现象。Room temperature photoluminescence (PL) of Si rich a SiN x ( x ≤1.3)films,grown by plasma enhanced chemical vapor deposition,was studied.Only with x ≥0.5 in a SiN x ∶H films,can strong room temperature PL be observed;and the PL energy and intensity increase with increase of N content.Two distinctive mechanisms are proposed to account for the room temperature luminescence of the a SiN x ∶H films with the threshold near x =0.8.For low x ,the films show typical luminescence properties of a Si∶H,while for high x ,the normalized luminescence bands are independent of temperature.The luminescence origin of the film was discussed with a quantum well model in combination with percolation theory.

关 键 词：a-SiNx∶H薄膜 渗流理论 量子限制 室温光致发光 

分 类 号：O484.41[理学—固体物理]