三元系ZrO2—Y2O3—Yb2O3材料的低温电性能  

作　　者：李英[1] 唐子龙[2] 

机构地区：[1]中国科学院化工冶金研究所,北京 [2]清华大学材料科学与工程系,北京

出　　处：《材料导报》2000年第Z10期173-174,共2页Materials Reports

摘　　要：采用复阻抗技术对三元系ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－Ｙｂ２Ｏ３材料在５７３－８７３Ｋ内的离子电导率随组成的变化关系进行了研究，发现该材料的低温电导率随Ｙｂ２Ｏ２含量的增加而降低。用Ａｒｒｈｅｎｉｕｓ公式对实验数据进行的分析表明，电导率降低的原因在于Ｙｂ＾２＋与结构中氧空位之间的缔合比Ｙ＾３＋与氧空位之间的缔合更甚，阻碍了氧空位在低温下的定向迁移。

关 键 词：电导率 缺陷缔合 ZRO2 Y2O3 YB2O3 三元系材料 

分 类 号：TB332[一般工业技术—材料科学与工程]