半导化BST陶瓷晶粒生长的显微表征  

作　　者：熊兆贤[1] 冼定国[2] 

机构地区：[1]厦门大学材料科学与工程系,厦门 [2]香港理工大学应用物理系,材料研究中心,香港

出　　处：《材料导报》2000年第Z10期175-177,共3页Materials Reports

摘　　要：采用显微方法研究半导化（Ｂａ０．９Ｓｒ０．１）（Ｔｉ０．９９９Ｎｂ０．００１）Ｏ３陶瓷晶粒生长的动力学因子，同样化学配方的八种样品在１３００℃中保温时间分别为１，３，６，１０，３０，６０，１００和３００分钟，扫描电镜照片（ＳＥＭ）显示八种样品的平均晶粒大小随保温时间延长而增大，经自动图像处理得到的晶粒生长动力学因子不是常数，在生长初期较小（≈１．５）而在生长后期较大（≈３．５），该数据与ＡＢＯ３型构造的陶瓷晶粒生长的计算机模拟结果一致。

关 键 词：半导体陶瓷 BST陶瓷 陶瓷晶粒 显微表征 

分 类 号：TQ174.758[化学工程—陶瓷工业] TQ174.1[化学工程—硅酸盐工业]