蓝紫光倍频材料硫氰酸汞镉晶体生长动力学和机理的研究  

作　　者：程振祥[1] 于锡玲[1] 张树君[1] 孙大亮[1] 钟真武[1] 袁多荣[1] 

机构地区：[1]山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100

出　　处：《人工晶体学报》2000年第4期315-319,共5页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：国家自然科学基金资助项目!(No .5 9832 0 80和 5 9772 0 0 3)

摘　　要：利用倒置相差显微镜观察了用于蓝紫光倍频的硫氰酸汞镉晶体 (CdHg(SCN) 4 )在 3%的KCl溶液中的生长形貌 :在 (10 0 )面上呈现为生长直线台阶列 ,在锥面上呈现生长丘。在溶液循环流动的情况下测量了晶体的生长速率 ,发现晶体在过饱和度低于 2 .5%时不生长。计算了晶体不同面的界面相变熵因子。通过三者综合分析得到晶体为多二维成核生长机制。

关 键 词：生长动力学 CMTC晶体 生长丘 蓝紫光倍频 

分 类 号：O78[理学—晶体学] TN244[电子电信—物理电子学]