KTiOAsO_4晶体的铁电畴与位错的多种实验方法研究  

Research on the Ferroelectric Domain and Dislocations in KTiOAsO_4 Crystal by Multiple Experiment Methods

作　　者：牟其善[1] 刘希玲[1] 李可[1] 官文栎[1] 程传福[2] 马长勤[3] 王绪宁[3] 路庆明[3] 

机构地区：[1]山东教育学院数理系,济南250013 [2]山东师范大学物理系,济南250014 [3]山东大学化学院,济南250100

出　　处：《人工晶体学报》2000年第4期360-363,共4页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：山东省自然科学基金资助项目!(Y98A15 0 18);山东大学晶体材料国家实验室资助项目

摘　　要：利用原子力显微镜 ,同步辐射X射线形貌术和化学腐蚀光学显微等方法深入研究了KTiOAsO4 晶体缺陷中的铁电畴和位错。首次用原子力显微镜给出了用两种腐蚀剂腐蚀过的KTA晶体表面的铁电畴和位错蚀坑的照片及定量信息 ,如发现铁电畴的明区要高于暗区 ,且两者的粗糙度明显不同。这为研究各种晶体的生长缺陷开辟了一条新的途径。The defects such as ferroelectric domain and dislocations in KTiOAsO 4 crystal have been researched with atomic force microscope,synchrotron radiation topography and optical microscope.The pictures and quantitative information on ferroelectric domain and etch pits of dislocations in etched KTA crystal surface have been given first time by atomic force microscope.This opens up a new way to study the growth defects in various crystals.

关 键 词：原子力显微镜 铁电畴 位错 激光倍濒 KTA晶体 实验 

分 类 号：O772[理学—晶体学] TN244[电子电信—物理电子学]