激光产生的Si等离子体的光谱分析  

Spectral analysis of laser-produced Si plasmas

作　　者：苏茂根[1] 敏琦 张倩倩[1] 刘进明[1] 

机构地区：[1]甘肃省原子分子物理与功能材料重点实验室,西北师范大学物理与电子工程学院,甘肃兰州730070

出　　处：《西北师范大学学报（自然科学版）》2014年第1期39-42,46,共5页Journal of Northwest Normal University(Natural Science)

基　　金：国家自然科学基金资助项目(11064012;11274254;11364037);甘肃省科技计划基金项目(1104WCGA186);甘肃省高等学校基本科研业务费专项(1308RJZA166);甘肃省自然科学基金资助项目(1308RJZA166)

摘　　要：利用双脉冲激光等离子体光谱技术测量了激光烧蚀Si靶产生的极真空紫外波段等离子体光谱,通过标定发现,光谱中的分立谱线主要来自于Si 7+-Si 10+离子的2s-2p跃迁.基于稳态碰撞辐射模型和激发态粒子数布居满足归一化玻尔兹曼分布的假设,计算了不同电荷态Si离子的离子丰度随电子温度的变化关系,并给出了不同等离子体参数条件下的理论模拟光谱.通过与实验光谱的比较,确定了等离子体参数.The emission spectrum of Si plasma in the extreme ultraviolet region is obtained using the double-pulse laser produced plasma method,it＇s found that the emission lines in the experimental spectrum arise from the 2s-2p transitions of Si7＋-Si10＋ ions.Based on a steady-state collisional-radiative model and the assumption of a normalized Boltzmann distribution among the excited states,the ion abundance of different charge states as a function of plasma electron temperature is calculated and analyzed and the theoretical spectra at the different plasma parameters is simulate.Finally,a spectrum is reproduced,which is in good agreement with experimental results.

关 键 词：高电荷态硅离子 激光等离子体 稳态碰撞辐射(CR)模型 

分 类 号：O562.3[理学—原子与分子物理]