毫米波二倍频器的研究与设计  

Research and Design of the Millimeter-wave Frequency Multiplier

作　　者：张倩[1] 孙玲玲[1] 文进才[1] 

机构地区：[1]杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,浙江杭州310018

出　　处：《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》2013年第6期17-20,共4页Journal of Hangzhou Dianzi University：Natural Sciences

基　　金：国家重点基础研究发展计划资助项目(2010CB327403)

摘　　要：利用砷化镓场效应管器件的非线性特性设计了一个单端毫米波段二倍频器,输入频率为2734 GHz,输出频率为54 68 GHz。该单端二倍频器包括了非线性器件、匹配电路和偏置电路3个部分。当输入基波功率为5 dBm时,二次谐波的输出功率为0 2.3 dBm,基波抑制大于15 dB,三次谐波抑制大于25 dB。芯片总面积(含pad)为1.068 mm×0.495 mm。A single-ended millimeter-wave frequency doubler imposing on the nonlinear characteristic of GaAs field effect transistor is presented .Its input frequency is 27 33 GHz, and output frequency is 54 66 GHz. The frequency doubler is included a nonlinear device , matching circuit , and a biasing circuit . For a fundamental input power of 5 dBm, this frequency doubler demonstrates an output power between 2.3 and 0 dBm, the fundamental rejection is beyond 15 dB and the third harmonic frequency rejection is over 25 dB. The total size of this compact chip is 1.068 mm ＆#215;0.495 mm.

关 键 词：砷化镓场效应管 毫米波 二倍频器 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]