CMOS集成电路的电热耦合效应及其模拟研究  

A Simulation and Study of Electro-Thermal Coupling Effects in CMOS IC's

作　　者：刘淼[1] 周润德[1] 贾松良[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所,北京100084

出　　处：《微电子学》2001年第1期10-12,共3页Microelectronics

基　　金：国家自然科学基金重大项目 !(5 9995 5 5 0 - 0 1)

摘　　要：文章基于集成电路具体的封装结构提出了它的热学分析模型。针对均匀温度分布的集成电路 ,采用解耦法实现了电热耦合模拟软件 Etsim。WT5”BZ]A thermal analysis model for a packaged IC chip is proposed and the temperature-dependent circuit performance is analyzed Based on relaxation method, an electro-thermal simulator (Etsim) has been developed, which can be used to simulate the electro-thermal effects under uniform temperature distribution

关 键 词：CMOS集成电路 自热效应 电热耦合效应 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]