高T_c铜氧化物超导体的低密度载流子特征  

Cherecteristic on lower carriers dencity in high T_c copper oxidie superconductors

作　　者：黄新民[1] 陈羽[2] 

机构地区：[1]陕西理工学院物理与电信工程学院,陕西汉中723000 [2]陕西理工学院化学与环境科学学院,陕西汉中723000

出　　处：《陕西理工学院学报（自然科学版）》2014年第1期71-74,共4页Journal of Shananxi University of Technology:Natural Science Edition

摘　　要：用电负性均衡原理研究在高Tc铜氧化物超导体中由于元素中有化学键的形成,形成了低密度载流子浓度并对超导电性产生了强烈的影响;由于元素之间形成化学键,电子密度的分布在超导材料中的不均匀性,使得超导材料中形成宏观物理性质不同的板块结构。In this paper , the electronegative equalization principle is used to study the formation chemi-cal bond among the elements of the high Tc copper oxide superconductors .For the chemical bond formation , the lower carriers density is produced , witch is very strong affection the high Tc superconductivity .With the chemical bond , the electrons density in superconductors is distributed disproportionatel .The disproportionate characteristic form the different nature between the superconducting state and non-superconducting state .

关 键 词：电负性均衡原理 低密度载流子超导体 高TC 铜氧化物超导体 

分 类 号：O511.2[理学—低温物理]