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作 者:程凯[1] 赖松林[1] 程树英[1] 林培杰[1] 章杰[1]
机构地区:[1]福州大学物理与信息工程学院微纳器件与太阳能电池研究所,福州350108
出 处:《固体电子学研究与进展》2014年第1期50-55,共6页Research & Progress of SSE
基 金:福建省科技厅资助项目(2003Q013)
摘 要:提出了芯片内部振荡器的一种设计方案,该振荡器采用了全差分环形振荡器的结构,其延迟单元使用了共模反馈和交叉耦合晶体管对对频率进行调节校准,抑制相位噪声能力强。还提出了一种新型的基准源结构,这种结构产生的电流温漂系数小、电源抑制比高。该设计基于CSMC 0.35μm CMOS工艺,测试结果表明,在3.3V的低电源电压下,振荡频率抖动范围很小,中心频率在11.4MHz,功耗仅为1.4mW。A design of an oscillator on a chip is proposed in this paper. The oscillator adopts a configuration of the full differential ring oscillator. The common mode feedback and cross-cou- pled transistors are used in the delay cells to adjust the frequency, which can suppress the phase noise well. Furthermore, a novel structure of the reference current source is also proposed in which the temperature drift coefficient of the current is small and power supply rejection ratio (PSRR) is high. Based on the CSMC 0.35 μm CMOS technology, test results indicate that fre- quency jitter is small under a voltage supply of 3.3 V, with a power dissipation of 1.4 mW at the central frequency of 11.4 MHz.
关 键 词:环形振荡器 带隙基准源 交叉耦合晶体管 共模反馈
分 类 号:TN432[电子电信—微电子学与固体电子学] TN752
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