检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]中科院微电子研究所昆山分所,江苏昆山215347 [2]杭州电子科技大学电子信息学院,杭州310018 [3]中国科学院微电子研究所,北京100029
出 处:《固体电子学研究与进展》2014年第1期86-89,共4页Research & Progress of SSE
基 金:国家科技重大专项03专项基金资助项目(2012ZX03004006);江苏省科技支撑计划资助项目(BE2013067)
摘 要:设计了一种快速启动的低噪声射频片上电源,采用能够快速启动的RC低通滤波器在降低噪声的同时减少启动时间。在SMIC0.18μmCMOS工艺下进行了设计、仿真与制造,电源的总面积为0.107mm^2。。仿真结果表明:输入电压为2~3.6V,输出电压为1.8V;在整个工作电压范围内,负载电流为10mA时,片上电源启动时间小于28μp;在1~100kHz频率范围内总积分噪声电压小于51.24μV;静态功耗电流为170μA(其中BGR消耗了133μA)。测试结果表明,片上电源可以很好地抑制1/f噪声.This paper presents a fast startup, low noise RF power on-chip, which has a RC low-pass filter to reduce the noise while reducing start-up time. The proposed structure has been designed and fabricated in SMIC 0. 18 μm CMOS process. The total area of the power is 0. 107 mme. Post-layout simulation results show that the stable output voltage is 1.8 V with a supply voltage of 2~3.6 V. Over the entire operating voltage range, the startup time of the power is less than 28 μs with the load current of 10 mA. The integrated noise voltage from 1 kHz to 100 kHz is less than 51.24 μV. The quiescent current consumption is 170 μA (133 μA for band-gap reference). Experimental results show that the l/f noise is reduced in output of the LDO.
分 类 号:TM44[电气工程—电器] TN43[电子电信—微电子学与固体电子学]
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在链接到云南高校图书馆文献保障联盟下载...
云南高校图书馆联盟文献共享服务平台 版权所有©
您的IP:18.116.239.11