PLZT陶瓷中的光致伏特效应的研究  

Study of the Photovoltaic Effect in PLZT Ceramics

作　　者：郑鑫森[1] 郑芝凤 束慧君 敖海宽[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050

出　　处：《功能材料》1991年第6期351-355,共5页Journal of Functional Materials

摘　　要：研究了PLZT陶瓷中的体光伏特效应。采用通氧热压技术制备PLZT陶瓷。试样被切割加工成4.5×3×1mm^3并沿3mm 方向加以极化,在高于居里点的温度下以较低的电压(～250V/mm)极化。在高压球形汞灯的照射下,所研究的PLZT试样呈现较强的光致伏特效应。在4/56/44PLZT陶瓷中,其光伏电压和电流输出分别为1.2kV/cm(开路态)和0.9μA/cm^2(闭路态)。实验表明 PLZT 的光伏电流与光照强度有关而与外接电阻负载无关(在0～10~8Ω范围内);外加偏置场对极化前后的4/56/44PLZT陶瓷的光伏特性的影响的实验表明:受光照射后产生的光致激发载流子在一有效驱动电场的作用下作定向运动,从而对外表现出光伏效应的行为特征,这一有效场为材料的剩余极化场;外加偏置电场可诱发或加强材料的光伏电压和电流的输出。The bulk photovoltaic effect in(Pb, La)(Zr,Ti)03(PLZT)ceramics has been studied.The photo induced voltage (1.2kV/cm) and current(0.9μA/cm^2 for PLZT 4/56/44 were meassured when the sample were irradiated by a high-pres- sure mercury arc lamp.The photovoltaic properties of PLZT is dependent on the illumination and independent of the resistance load in a rang up to 10~8Ω.A baisfield was applied to samples for observing the effect of the baic field on the photocoltaic properties in PLZT.

关 键 词：PLZT陶瓷 光致伏特效应 电场 性能 

分 类 号：TM28[一般工业技术—材料科学与工程]