一种0.1-1.2GHz的CMOS射频收发开关芯片设计  

A 0.1-1.2GHz CMOS RF T/R Switch Design

作　　者：王立果[1] 周鹏[1] 

机构地区：[1]天津大学电子信息工程学院,天津300072

出　　处：《电子产品世界》2014年第2期27-29,共3页Electronic Engineering & Product World

基　　金："新一代宽带无线移动通信网"国家科技重大专项--面向行业专网应用的带宽可变频点可变无线宽带射频芯片研发(2012ZX03004008)

摘　　要：本文设计了一种低插入损耗、高隔离度的全集成超宽带CMOS射频收发开关芯片。该电路采用深N阱体悬浮技术,在1.8V电压供电下,该射频开关收发两路在0.1-1.2GHz内的测试结果具有0.7dB的插入损耗、优于-20dB的回波损耗以及-37dB以下的隔离度。本开关采用GLOBALFOUNDRIES 0.18μm CMOS工艺,芯片总面积为0.53mm2。本文网络版地址:http://www.eepw.com.cn/article/233865.

关 键 词：射频开关 超宽带 插入损耗 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]