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作 者:王婷[1] 周航[1] 张新[1] 徐旭辉[1] 邱建备[1] 余雪[1]
机构地区:[1]昆明理工大学材料科学与工程学院新材料重点实验室,昆明650093
出 处:《中国科技论文》2014年第2期207-211,共5页China Sciencepaper
基 金:高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20115314120001)
摘 要:高温固相法合成Sr3SiO5:Eu2+过程中,杂质相Sr2SiO4:Eu2+的存在会不同程度影响Sr3SiO5:Eu2+的光致发光性能及余辉性能。本文通过压片烧结和燃烧法两种方法制备Sr3SiO5:Eu2+,结合热重-差热分析和X射线衍射分析,研究了Sr3SiO5:Eu2+在合成过程中的相变化规律以及动力学过程。研究表明:原料与坩埚的接触处形成的界面以及原料在升温过程经过Sr2SiO4:Eu2+的合成温度区间是导致杂质相产生的主要原因。在升温过程中,当温度经过1 200℃左右的温度区间时,由于原料与坩埚接触处可以看作是两组不同物质的分界面,Sr2SiO4:Eu2+的合成首先在该分界面处合成,而更多的原料需要扩散通过生成物层才能进一步反应;但随着温度的升高,原料随后进入Sr3SiO5:Eu2+的合成过程,从而导致了Sr2SiO4:Eu2+杂质相的生成。Sr3 SiO5:Eu2+yellow phosphors were synthesized through the high temperature solid state reaction method under a re-ductive atmosphere.Impurity phase Sr2 SiO4:Eu2+acts as the phase and significantly affects the photoluminescence and afterglow properties of Sr3 SiO5:Eu2+ yellow phosphors.In the synthetic process,the phase transformation process and kinetic process were investigated by DTA/TG,tabletting,combustion and XRD patterns.It is indicated that the thermal field between raw ma-terials and the crucible is responsible for the impurity phase.In the synthesis process,at around 1 200℃,the area where the raw materials are in contact with the crucible can be regarded as the interface of two different components,and thus,the synthesis of Sr2 SiO4:Eu2+firstly occurred in the interface and generated product layer Sr2 SiO4:Eu2+.Further reaction occurs when more raw materials diffuse through the interface.Finally,Sr3 SiO5:Eu2+ yellow phosphors will be synthesized at higher temperatures,and the impurity phase was therefore formed.
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