Co纳米线阵列膜热处理前后的结构与磁性研究  

作　　者：彭勇[1] 周荣洁 肖君军[2] 力虎林[1] 陈兆杰 

机构地区：[1]兰州大学化学系,兰州730000 [2]兰州大学教育部应用磁学开放实验室,兰州730000

出　　处：《科学通报》2001年第1期20-23,共4页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金!(批准号: 69890220)

摘　　要：在具有纳米级孔洞的多孔氧化铝模板上, 用电化学方法成功地制备出钴纳米线有序阵列复合膜. 分别用透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线衍射仪和振动样品磁强计(VSM)对样品进行了测试表征. 形貌和物相分析表明, 模板中的Co纳米线均匀有序, 彼此独立, 相互平行. 每根纳米线由一串微晶粒构成. Co纳米线属六方密堆积结构, 有很好的结晶取向, 晶体的c轴沿纳米线轴定向排列. 热处理能优化Co纳米线的结晶取向. 磁性研究显示, 纳米线长到一定程度后, 长度的增加不再影响它的矫顽力. 纳米线短和纳米线长时, 存在两种不同的磁化反转机制. 对短纳米线, 磁化反转机制为旋转型. 在这种机制中, 热处理导致矫顽力增大. 对长纳米线, 反磁化机制为畴壁位移. 在这种机制中, 热处理引起矫顽力减小. 微磁学计算模拟证明了它们的磁化反转机理.

关 键 词：多孔阳极氧化铝 磁性金属 电沉积 热处理 物相分析 矫顽力 磁化反转机制 反磁化核 磁记录 钴纳米线 

分 类 号：TQ58[化学工程—精细化工] TM272[一般工业技术—材料科学与工程]