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机构地区:[1]中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800
出 处:《光学学报》1991年第12期1057-1062,共6页Acta Optica Sinica
摘 要:本文采用碰撞辐射模型,考虑MgX,MgXII,MgXIII的基态及MgXI主量子数n≤6到光谱项层次的21个能级,假定等离子体电子温度按高斯函数随时间下降,用初始温度下定态能级占据数速率方程的解作初值,求解瞬态能级占据数速率方程,根据各能级粒子数的时间分布分析了MgXI1s3p—1s4d,1s3d—1s4f跃迁的自发辐射放大增益系数的时间特性。The energy level population rate equations are solved in collisional-radiational (CR) model, when the ground state of MgX, MgXII, MgXIII and the 21 energy levels of MgXI, of which the main quantum number n are lower than or equal to 6, are included, and the electron temperature drops vs time in Gaussian profile are assumed Then the variations of ASE gain coefficient of transition 1s3p-1s4d, 1s3d-1s4f in MgXI plasma with time are given.
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