研究使用一个单元MOS-FET的10kW中波广播发射机  

作　　者：刘占和 蔡复江 

出　　处：《广播与电视技术》1991年第2期64-71,共8页Radio & TV Broadcast Engineering

摘　　要：研制了与已经开发的10kW中波功率放大器相适应的MOS-FET方式的调幅放大设备,因而完成了输出10kW的广播发射机系统。这种新调幅放大器的设计是基于高电压、低电流状态下工作的(高阻抗负载),是功率损耗增大时的最佳设计以及防止局部温升的理想散热设计等作为基本考虑方案,首先对MOS-FET的各种元件及参数进行了选择。其结果,输入、输出功率获得了良好的直线性,也能获得稳定的11.2kW以上功率输出。试制的调幅器单元,尺寸为230×530×700mm^3,重量21kg。由于强制风冷(风速10m/s),当发射机输出10kW时,MOS-FET的管壳表面温度升高9℃,LPF部件的线圈表温升高23℃。10kW发射机的综合特性是:总效率82%以上,失真度2%,信噪比52dB以上。

关 键 词：MOS-FET 10KW 中波 广播发射机 

分 类 号：TN83[电子电信—信息与通信工程]