平面平行真空微电子二极管中电子渡越时间的计算关系式  

The Calculating Relationships of Electron Transit for a Plane Parallel Vacuum Microelectronics Diode

作　　者：陈博贤 夏善红[2] 李宏彦[3] 刘光诒[2] 丁跃根[2] 

机构地区：[1]无锡中策电子有限公司,江苏无锡214044 [2]中国科学院电子学研究所,北京100190 [3]北京有色金属研究总院稀土材料国家工程研究中心有研稀土新材料股份有限公司,北京100088

出　　处：《真空电子技术》2014年第1期14-18,共5页Vacuum Electronics

摘　　要：本文借助于泊松(Poisson)方程,分析了平面平行真空微电子二极管(P-VMD)中空间电荷对管内电位分布的影响,利用电子渡越时间的定义式,推导出了平面P-VMD在考虑空间电荷和忽略电荷空间电荷影响时的电子渡越时间的计算关系式,并验证了此关系式的正确性。最后举例说明了此关系式的应用。In this paper, the influence of space charge on the potential distribution is analyzed mathe- matically for a planar parallel vacuum microelectronics （P-VME） diode by using the Poisson equation. The calculation relationships of electron transit time under considering and neglecting the influence of space charge are derived from the basic definition of electron transit time. The relative application of those rela- tionships is also provided as instances.

关 键 词：平面平行真空微电子二极管 空间电荷 电位分布函数 电子渡越时间 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]