As_(Hg)与V_(Hg)在碲镉汞中掺杂行为第一性原理研究  

First-principles studies on behaviors of As_(Hg) and V_(Hg) in arsenic-doped HgCdTe

作　　者：黄燕[1] 王子言[1] 段鹤[1,2] 陈效双[1] 孙立忠[1,3] 陆卫[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海200083 [2]广东工业大学物理与光电工程学院,广州510006 [3]湘潭大学材料与光电物理学院,湘潭411105

出　　处：《中国科学：物理学、力学、天文学》2014年第4期350-359,共10页Scientia Sinica Physica,Mechanica & Astronomica

基　　金：国家重点基础研究发展计划(编号:2013CB632705);国家自然科学基金(批准号:10990104;61290301;11334008;61006091;61376102);上海市自然科学基金(编号:13JC1408800)资助项目

摘　　要：采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对碲镉汞材料中两种点缺陷Hg空位(VHg),As代Hg位(AsHg)及其复合缺陷(AsHg-VHg,AsHg-2VHg)进行了系统的研究,获得缺陷形成能随费米能级的变化,结合结构与电子特性分析讨论了这些缺陷在As掺杂HgCdTe中的自补偿效应和p型激活途径.Using first-principles methods, we have studied the structural and electronic properties of mercury vacancy （VHg）, substitutional arsenic donor （ASHg） and their complexes （ASHg-VHg, ASHg-2VHg） in HgCdTe. The defect formation energies as a function of Fermi level for these defects have been calculated. We have then further investigated the carrier compensation and p-type activation caused by these defects in arsenic-doped HgCdTe.

关 键 词：碲镉汞 缺陷 第一性原理 

分 类 号：O469[理学—凝聚态物理]