分子镀法制备厚镅(^(241,243)Am)靶  

Preparation of the Thicker ^(241,243)Am Targets by Molecular Plating Method

作　　者：秦芝[1] 郭俊盛[1] 甘再国[1] 

机构地区：[1]中国科学院近代物理研究所,甘肃兰州730000

出　　处：《同位素》2000年第4期209-214,共6页Journal of Isotopes

基　　金：国家自然科学基金资助项目!(19775 0 5 3);中国科学院留学经费择优支持回国工作基金;"国家重点基础研究发展规划"资助项目!(G2 0

摘　　要：研究了异丙醇 -硝酸介质中镅 ( 2 4 1,2 4 3Am)的分子镀过程和实验条件。在保持电压为 550 V、电流密度为 4～ 6m A/ cm2 的条件下电镀 1h,通过一次分子镀过程就能在薄铝箔 (厚度 7μm)衬底材料上制备出厚度为 0 .6～ 1.2 mg/ cm2的 2 4 1,2 4 3Am靶。Electrodeposition of americium ( 241 Am and 243 Am) from the mixture of isopropyl alcohol and dilute nitric acid is studied by molecular plating procedure. Under the condition of voltage of 550 V and the current density of 4~6 mA/cm 2, electrodeposition lasts one hour, and the 241,243 Am targets with thickness of 0.6~1.2 mg/cm 2 is obtained on thin aluminum foil by a single molecular plating.

关 键 词：分子镀 厚镅靶 制备 超重核 放射性同位素 镅 

分 类 号：O571.6[理学—粒子物理与原子核物理]