在用于大型螺旋装置中性束注入系统的1／3比例氢负离子源中Cs沉积的优化  

作　　者：Oka.,Y 王惠三 

出　　处：《国外核聚变》2000年第6期57-63,共7页

摘　　要：利用一个紧凑的铯沉积系统对用于大型螺旋装置-中性束注入（LHD-NBI）系统的1/3比例氢负离子源的内表面进行直接的沉积，试验了在3-200mg范围内小的、很确定的铯量的沉积，在纯氢运行模式和有铯模式下都进行了负离子的引出和加速。对等离子体室单纯的3-30mg的铯沉积使H∧-产额暂时增高2-5倍，但是在几个放电脉冲之内该产额又降低到原先的稳态值。在3-5h/60次放电间隔之内连续两次的30mg沉积，产生了类似的H∧-的瞬时增长，但达到很大的H∧-产额的稳态值。在20-120h/150-270次放电的间隔内，更大量的0.1-0.1gGs的沉积，在一个长的运行周期（2-5d）内改善了H∧-产额。对等离子体室各个壁的定向的Cs沉积表明了近似同样的H∧-的增加。对被水泄漏污染的表面沉积0.13gGs产生了与单一30mg铯沉积时相类似的H∧-的瞬时增加和H∧-的稳态水平，用铯等离子体的0.1g沉积得到了用相同量的铯原子沉积时获得的H∧-产额的一半。与在相同的放电功率下12根灯丝运行相比，在8根灯丝的放电运行期间记录到更高的稳态H∧-流值和更小的H∧-产生速率。

关 键 词：氢负离子源 铯沉积 中性束注入系统 氢离子 产生速率 大型螺旋装置 

分 类 号：TL629.1[核科学技术—核技术及应用]