ZnO基异质结紫外光发射器件研究进展  

作　　者：刘益春[1] 徐海阳[1] 刘春阳[1] 刘为振 

机构地区：[1]东北师范大学物理学院紫外光发射材料与技术教育部重点实验室先进光电子功能材料研究中心,长春130024

出　　处：《科学通报》2014年第9期769-778,共10页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家重大科学研究计划(2012CB933703);国家高技术研究发展计划(2006AA03Z311);国家自然科学基金(51172041,91233204,51372035);教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-11-0615)资助

摘　　要：宽禁带半导体ZnO具有高达60 meV的激子束缚能,是一种极具潜力的短波长发光材料.在其p型掺杂存在巨大挑战的现状下,发展ZnO基异质结光发射器件不失为一种理想的选择.本文围绕p-n结型和MIS结型(金属-绝缘体-半导体)两类异质结构,介绍了ZnO紫外发光二极管(LED)和激光二极管(LD)的研究进展.针对ZnO异质结LED/LD存在的问题(如:发光效率低、稳定性差),重点介绍了通过引入ZnO单晶纳米线和金属局域表面等离激元,以及采用表面钝化等方法,改善器件性能方面的研究工作.

关 键 词：ZNO 异质结 紫外光发射器件 p-n结型 

分 类 号：TN23[电子电信—物理电子学]