显示KTiOAsO_4晶体表面缺陷的实验方法研究  

作　　者：张杰[1] 牟其善[1] 马长勤[2] 路庆明[2] 王绪宁[2] 

机构地区：[1]山东教育学院数理系,济南250013 [2]山东大学化学院,济南250100

出　　处：《物理实验》2000年第10期20-21,24,共3页Physics Experimentation

基　　金：山东省自然科学基金资助项目!(批准号 Y98A15 0 18) ;山东大学晶体材料国家实验室资助项目

摘　　要：用化学腐蚀法和光学显微法对 KTi OAs O4 晶体缺陷进行了研究 .发现不同的腐蚀剂对显示KTi OAs O4 晶体的缺陷的效果不同 ,用第一种腐蚀剂磷酸腐蚀后观察到了 KTi OAs O4 晶体的铁电畴和菱形位错蚀坑 ,用第二种腐蚀剂氢氧化钾和硝酸钾混合水溶液观察到了生长条纹、扇形界和钟形位错蚀坑等缺陷 .两种腐蚀剂的作用不能相互替代 .对这一现象有待于进一步探讨 .

关 键 词：晶体缺陷 化学腐蚀方法 光学显微术 激光倍频材料 砷酸钛氧钾晶体 

分 类 号：O77[理学—晶体学] TN244[电子电信—物理电子学]