不同尺寸PACVD反应器内工艺参数对TiN生长的影响  

作　　者：马兵 

出　　处：《等离子体应用技术快报》2000年第10期21-23,共3页

关 键 词：PACVD反应器 工艺参数 氮化钛 薄膜 沉积 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]