不同基底的ITO薄膜制备及其光电性能  

Preparation and photoelectric properties of ITO thin films deposited on different substrates

作　　者：杨坤[1] 胡志强[1] 王海权[1] 于洋[1] 张海涛 王志昕 

机构地区：[1]大连工业大学新能源材料研究所,辽宁大连116034 [2]锦州新世纪石英(集团)有限公司,辽宁锦州121000 [3]长春天然气有限责任公司,吉林长春130033

出　　处：《大连工业大学学报》2014年第2期135-138,共4页Journal of Dalian Polytechnic University

基　　金：国家高技术研究发展计划(863计划)项目(2006AA05Z417);辽宁省教育厅重点实验室科技项目(2008S017)

摘　　要：采用脉冲磁控溅射法在石英基底和柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)上分别制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对不同基底上ITO薄膜的微观结构及表面形貌进行了对比分析,并且研究了溅射气压、溅射时间和衬底温度等工艺条件对不同基底上制备的ITO薄膜的光透过率和光电性能的影响。结果表明,相同工艺条件下,石英玻璃上ITO薄膜的最佳方块电阻为13.3Ω,可见光透过率为91%;PET上ITO薄膜的最佳方块电阻为15Ω,可见光透过率为85%。二者相比,石英基底上ITO薄膜的光电性能更佳,膜表面的致密度、均匀性更好。Transparent conductive indium tin oxide （ITO） films were prepared on the quartz substrate and flexible polyethylene terephthalate （PET） by pulsed magnetron sputtering. The microstructure and surface morphology of ITO thin films was investigated by X ray diffraction （XRD） and scanning electron microscope （SEM）. The results showed that the sheet resistance was 13.3 and 15 Ω, and visible light transmittance was 91% and 85% respectively for the ITO films on quartz and PET substrate. The photoelectric performance of films grown on quartz substrate is stronger and the films surface density and uniformity is better than that on PET.

关 键 词：脉冲磁控溅射 石英 PET 氧化铟锡薄膜 

分 类 号：TB321[一般工业技术—材料科学与工程]