一种Ka频段MEMS开关的研制  

作　　者：董自强[1] 赵博韬[1] 石国超[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第五十四研究所,河北石家庄050081

出　　处：《数字技术与应用》2014年第2期68-68,70,共2页Digital Technology & Application

摘　　要：设计了一种应用于Ka频段的并联电容式MEMS开关,该开关利用表面牺牲层工艺制备,具有低损耗、高隔离度等特点。经测试,开关在Ka频段内,回波损耗优于30dB,插入损耗典型值-0.13dB@27GHz,优于-0.28dB@40GHz,隔离度全频段优于22dB,驱动电压在50V^70V范围。

关 键 词：MEMS开关 电容式 KA频段 

分 类 号：TH703[机械工程—仪器科学与技术] TN63[机械工程—精密仪器及机械]