130nm嵌入式Flash产品VPOS失效与工艺改善  

作　　者：章宇翔 

机构地区：[1]上海华虹宏力半导体制造有限公司,上海201206

出　　处：《电子技术与软件工程》2014年第6期229-231,共3页ELECTRONIC TECHNOLOGY & SOFTWARE ENGINEERING

摘　　要：本文通过发生在某个130nm线宽嵌入式Flash产品上的VPOS失效分析,发现失效芯片的VPOS电压大部分被钳制在5V左右(正常应该为7.2V)。通过FPGA植入动态程序、电学和物理失效分析,发现HV GOX(高压栅氧)电容的边缘位置的氧化膜,作为电容介质层,较正常芯片薄,从而成为电容BV(Breakdown Voltage)下降及漏电,并最终导致VPOS失效的根本原因。作为改善对策,通过降低光刻胶固胶步骤温度,改善光刻胶边缘的翘曲状态,减少湿法刻蚀的氧化膜侧向刻蚀损失,达到防止HV GOX(高压栅氧)边缘变薄目的 ,获得到了改善。

关 键 词：VPOS 失效 电路芯片 漏电 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]