悬浮区熔法生长Tb_5Si_3晶体完整性研究  

Study on Binary Tb_5Si_3 Crystal Perfection of Growth by Floating Zone Method

作　　者：徐义库[1,2] 刘林[2] 张军[2] 

机构地区：[1]长安大学材料科学与工程学院,陕西西安710064 [2]西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西西安710072

出　　处：《热加工工艺》2014年第7期44-46,共3页Hot Working Technology

基　　金：中央高校基本科研业务费专项资金;西北工业大学"凝固技术国家重点实验室开放课题(SKLSP201302)"对本研究的资助

摘　　要：通过采用光辐射加热悬浮区熔法制备了Tb5Si3单晶。得出的结论为:3 mm/h的生长速度,0.1 MPa的循环氩气比较适合Tb5Si3单晶体的生长;Tb5Si3单晶基体内容易产生定向Tb5Si4脱溶沉淀相。调整材料成分可明显减少Tb5Si3相沉淀的尺寸和数量,提高制备晶体的完整性。Tb5Si3 single crystal was prepared by using optical floating zone method. It is concluded that a speed of 3 mm/h and 0.1 MPa argon pressure are suitable for Tb5Si3 single crystal growth; the oriented Tb5Si4 precipitation phase is easily formed in the Tb5Si3 crystal matrix. Adjusting the composition of materials can significantly reduce the size and number of Tb5Si4 phase precipitation and thus improve crystal perfection.

关 键 词：悬浮区熔技术 晶体生长 沉淀 成分调整 

分 类 号：TG244[金属学及工艺—铸造]