原位合成MoSi_2-SiC复合材料的室温增韧  

作　　者：孙祖庆[1] 张来启[2] 杨玉玥 傅晓伟[2] 朱静[3] 

机构地区：[1]北京科技大学新金属材料国家重点实验室,北京100083 [2]北京科技大学材料科学与工程学院,北京100083 [3]清华大学材料科学与工程学院,北京100080

出　　处：《金属学报》2001年第1期104-108,共5页Acta Metallurgica Sinica

基　　金：国家自然科学基金!59895150-04-02

摘　　要：原位合成 ＭＯＳｉ２－ＳｉＣ复合材料的断裂韧性明显高于单一ＭｏＳｉ２的断裂韧性.组织结构的ＴＥＭ与ＨＲＥＭ研究结果表明：原位合成 ＭｏＳｉ２／ＳｉＣ界面为直接的原子结合，无ＳｉＯ２非晶层存在结合对该复合材料的ＫＩｃ断口形貌及压痕裂纹连续扩展路径的观察分析表明，其室温增韧机制为 ＭｏＳｉ２－ＳｉＣ界面间较高的结合力、ＭｏＳｉ２基体晶粒细化及裂纹偏转和桥接．

关 键 词：MOSI2-SIC复合材料 原位合成 断裂 室温增韧 

分 类 号：TB332[一般工业技术—材料科学与工程]