半导体激光器电噪声与非辐射复合电流的相关性  

The Correlation between Electrical Noise and Non-radiative Current of Semiconductor Lasers

作　　者：胡贵军[1] 石家纬[1] 张素梅[1] 张锋刚 李红岩 

机构地区：[1]吉林大学电子工程系集成光电子学国家重点联合实验室,吉林长春130023

出　　处：《半导体光电》2001年第1期12-14,共3页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：教育部高等学校国家重点实验室访问学者基金项目;华为科技基金资助项目

摘　　要：测量了 50余只 980nmInGaAsP/InGaAs/AlGaAs双量子阱高功率半导体激光器的低频电噪声及其V -I特性。结果表明 ,小注入情况下 ,980nm半导体激光器的低频电噪声主要表现为 1/f特性 ,并与器件的表面非辐射复合电流有着良好的对应关系。Low-frequency electrical noise and V-I characteristics of 980 nm high-power double quantum well lasers are measured. The results indicate that the low frequency electrical noise of 980 nm semiconductor lasers mainly behaves 1/ f noise and exhibits good relation with surface non-radiative current at low injection.

关 键 词：半导激光器 电噪声 非辐射电流 双量子阱 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]