由正弦结构图产生的莫尔条纹各影响因素分析  

Analysis on Effect of Various Factors on Moiré Information

作　　者：王学礼[1] 李根乾[2] 赵宏[1] 谭玉山[1] 

机构地区：[1]西安交通大学激光与红外研究所,陕西西安710049 [2]西北工业大学,陕西西安710072

出　　处：《半导体光电》2001年第1期65-68,共4页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：莫尔技术以其特有的优点在光电三维面型测量中占有举足轻重的地位。正确理解各种影响因素对莫尔条纹的影响 ,对莫尔技术的正确应用有着重要的指导意义。分析了由正弦结构形成莫尔信息的几种方式 ,详细地研究了影响此种莫尔信息的几种因素———频率、相位、幅值、背景光强、结构间夹角等。得出了一些有意义的结论 ,给出了正确应用莫尔信息的一般原则。Moiré technique plays an important part in opto-electronic 3D measurement. It is of great importance to comprehend the effect of various factors on Moiré information. The article analyses some important factors such as frequency, phase, background light, amplitude and the angle between the two structures. Some useful conclusion are obtained based on above analysis.

关 键 词：三维测量 莫尔技术 正弦结构图 莫尔条纹 

分 类 号：TN247[电子电信—物理电子学]