石墨烯薄层对有机电致发光器件性能的影响  被引量:3

Influence of graphene thin layer on performance of organic light-emitting devices

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作  者:高永慧[1] 路莹[1] 韩强[1] 张刚[1] 姜文龙[1] 

机构地区:[1]吉林师范大学信息技术学院,吉林四平136000

出  处:《江苏大学学报(自然科学版)》2014年第3期339-342,共4页Journal of Jiangsu University:Natural Science Edition

基  金:国家自然科学基金资助项目(61305082);吉林省基础研究计划基金资助项目(20100510);吉林省科技发展项目(20101512;201215221);吉林省教育厅"十二五"科学技术研究项目(2011154;2012176;2013208);四平市科技计划项目(2012038)

摘  要:为研究探讨石墨烯薄层对有机电致发光器件(OLEDs)性能的影响,制备了一组OLEDs,其基本结构为ITO/NPB(50 nm)/Alq3(80 nm)/LiF(0.5 nm)/Al.分别采取不插入石墨烯薄层、将石墨烯薄层插入到NPB和ITO之间、插入到Alq3和LiF之间以及在NPB中掺杂石墨烯薄层的方式,制作了4组器件.研究结果表明:在NPB中掺杂石墨烯薄层的器件,在同等条件下性能最佳;当电压达到15 V时,器件电流效率达到最大值3.40 cd·A-1,与其他组器件最高效率相比增大1.46倍;同时,器件的亮度也达到最大值10 070 cd·m-2,比其他组器件最大亮度增大2.37倍.To investigate the impact of graphene thin layer on organic light-emitting devices, a set of OLEDs were fabricated with basic structure of ITO/ NPB(40 nm)/ Alq3 (80 nm)/ LiF(0.5 nm) /Al. Four methods of with and without inserting interposing graphene thin layer between NPB and ITO, inser- ting graphene thin layer between Alq3 and LiF and doping graphene thin layer in NPB were used to pre- pare four groups of devices. The results show that the device doped with graphene thin layer in NPB shows the best performance under the same condition, and the maximum current efficiency reaches 3.40 cd · A-1 at 15 V with i,ereasing of 1.46 times than those of other group devices. The maximum luminance of the device reaches 10 070 cd · m-2 with increasing of 2.37 times than the maximum luminances of other devices.

关 键 词:石墨烯 有机电致发光器件 掺杂 效率 亮度 

分 类 号:TN383[电子电信—物理电子学]

 

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