分布布拉格反射器(DBR)对半导体微腔一些特性的影响  

Effects of DBR on Properties of Semiconductor Microcavity

作　　者：刘宝利[1] 王炳燊 徐仲英[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第3期335-339,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目 !(批准号 :197740 45 )&&

摘　　要：从光学传输矩阵方法出发 ,研究了分布布拉格反射器 (DBR)生长顺序的不同对半导体平面微腔中电场振幅极大值位置及整个微腔选频特性的影响 ;同时指出了 DBR对于λ0 / 2和λ0Using the transfer matrix scheme,the effects of DBR's growth sequence have been studied on the properties of semiconductor planar microcavity,in particular on the spatial position of the amplifier maximum of electric field and the mode selection properties of the photon field.The best growing mode of DBR for λ 0/2 and λ 0 cavities,is also given.

关 键 词：半导体平面微腔 光学传输矩阵 分布布拉格反射器 激光器 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]