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作 者:刘振[1,2] 徐文亚[2] 钱龙[2] 赵建文[2] 崔铮[2]
机构地区:[1]大连交通大学材料科学与工程学院,辽宁大连116028 [2]中国科学院 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 印刷电子研究中心,江苏苏州215123
出 处:《影像科学与光化学》2014年第3期260-266,共7页Imaging Science and Photochemistry
基 金:国家自然基金青年基金项目(91123034;61102046);江苏省自然基金(BK2011364)资助
摘 要:本文研究了聚[(2,7-9,9-二辛基芴基)-4,7-双(噻吩-2-基)苯并-2,1,3-噻二唑](PFODBT)分离的半导体碳纳米管薄膜晶体管的光电性能。在超声和高速离心辅助下,PFO-DBT能够从商业化单壁碳纳米管中选择性分离出高纯的半导体碳纳米管。用得到的半导体碳纳米管溶液通过气溶胶喷墨印刷方法构建出高性能印刷薄膜晶体管器件。印刷碳纳米管薄膜晶体管表现出高的开关比(10~7)和高迁移率(15.6 cm^2·V^(-1)·s^(-1))。并且所有制备的印刷薄膜晶体管具有很好的光敏感特性和很好的稳定性。In this work,a simple and rapid method to selectively sort semiconducting-SWCNTs(sc-SWCNTs)with large diameters using poly[2,7-(9,9-dioctylfluorene)-alt-4,7-bis(thiophen-2-yl)benzo-2,1,3-thiadiazole](PFO-DBT)is presented.The sorted sc-SWCNTs inks have been directly used to fabricate thin film transistors(TFTs)by aerosol jet printing.Printed TFTs with effective mobility ~15.6 cm~2·V~(-1)·s~(-13)and on/off ratio~10~7 have been achieved.In addition,all the printed devices exhibited rapid photocurrent response to light irradiation.TFTs based on PFO-DBT sorted sc-SWCNT exhibit good photoresponsive characteristics with good stability and rapid response.
关 键 词:半导体性碳纳米管 聚合物 印刷电子 薄膜晶体管 光响应特性
分 类 号:TN321.5[电子电信—物理电子学]
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