高纯钨单晶坯料预处理工艺研究  

Preparatory Proceeding for Blank of Tungsten Single Crystals with High Purity

作　　者：李哲[1] 郭让民[1] 

机构地区：[1]西北有色金属研究院,西安710016

出　　处：《稀有金属》2001年第2期144-146,共3页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：探讨了三种预处理工艺 ,讨论了不同工艺方法对熔炼稳定性、排除间隙杂质的作用的影响。采用高纯仲钨酸铵 (APT)经还原、高温烧结、电子束熔炼预处理工艺 ,可有效降低间隙杂质元素含量 ,保证电子束悬浮区域熔炼过程的稳定性 ,制备出材质优良。Three preprocessing technologies for tungsten single crystal were studied. The testing results indicate that optimum tungsten single crystals can be obtained as follow technology: reduction of high purity APT,high temperature sintering, electron beam melting technique.

关 键 词：钨单晶 坯料纯度 预处理工艺 电子发射源材料 

分 类 号：TG146.411[一般工业技术—材料科学与工程] TN804[金属学及工艺—金属材料]