高剂量砷注入快速热退火硅中砷感生表面缺陷的能谱研究  

作　　者：Kumar,SN 刘洁 

出　　处：《国外分析仪器技术与应用》1991年第4期54-59,共6页Foreign Analytical Instrumentation

关 键 词：砷 离子注入 硅 退火 俄歇电子能谱 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学]