浅析高温Ti4H-SiC肖特基势垒二极管的特性  

作　　者：陈守迎 张聪[1] 汤德勇 

机构地区：[1]济南市半导体元件实验所

出　　处：《电子世界》2014年第10期499-499,共1页Electronics World

摘　　要：SiC是新一代高温、高频、大功率和抗辐照半导体器件和集成电路的半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子漂移速率、高热导率及抗辐照能力强等一系列优点肖特基势垒二极管是实现各种SiC器件的基础,因此对SiC肖特基势垒二极管高温特性的研究具有十分重要的理论和实际意义。

关 键 词：碳化硅 肖特基势垒二极管 伏安特性 热电子发射理论 

分 类 号：TN311.7[电子电信—物理电子学]