2.65GHz双级高效、高增益F类开关功率放大器设计  

Design of a 2.65 GHz Two-Stage High-Efficiency,High-Gain Class-F Switching-Mode Power Amplifier

作　　者：周鹏[1] 王建利[2] 邬海峰[1] 

机构地区：[1]天津大学电子信息工程学院,天津300072 [2]中兴通讯股份有限公司,陕西西安710000

出　　处：《中兴通讯技术》2014年第3期55-57,共3页ZTE Technology Journal

摘　　要：在F类功率放大器的基本工作原理和设计方法的基础上,采用开路枝节微带线匹配的方法实现了F类功率放大器所需要的谐波阻抗匹配,并采用GaN HEMT晶体管设计制作了应用于无线通讯领域的双级高效高增益F类功率放大器。在2.65 GHz工作频率,该功率放大器具有65.69%功率附加效率(PAE)、20 dB的功率增益和10 W输出功率。该功率放大器的实测结果与电路仿真结果相吻合,证明了使用该方法设计F类功率放大器的有效性。In this paper,we use an open stub microstrip line to realize harmonic impedance matching of a class-F PA.We analyze the fundamental design methods of a class-F PA and design a two-stage high-efficiency,high-gain class-F PA using GaN HEMT.At 2.65 GHz,the PA has 65.69% power-added efficiency,20 dB gain,and 10 W output.The measured results conform with the circuit simulations,and this proves that our design method is effective.

关 键 词：F类功率放大器 双级 高效率 高增益开关功放 

分 类 号：TN722.75[电子电信—电路与系统]