激光全掺杂制备太阳电池发射极的研究  

Study on full-area laser doping solar cell emitters

作　　者：陈树拳 王学孟[2] 梁宗存[1] 

机构地区：[1]中山大学太阳能系统研究所,广东省光伏技术重点实验室,光电材料与技术国家重点实验室,广东广州510006 [2]顺德中山大学太阳能研究院,广东佛山528300

出　　处：《可再生能源》2014年第6期727-730,共4页Renewable Energy Resources

基　　金：国家自然科学基金项目(61176055);佛山市科技发展项目(2012AA100523)

摘　　要：采用波长532 nm的激光脉冲在n型单晶硅衬底上扫描预置的硼源,进行太阳电池发射极制备的研究。通过全激光掺杂获得方块电阻最低为30Ω/□的发射极,经过退火后少子寿命大幅度提升;在此基础上,初步制备的太阳电池的开路电压Uoc达到597 mV,转换效率为13.58%。研究表明,激光全掺杂是制备太阳电池发射极的有效方法。532 nm laser pulse was applied for full area doping solar cell emitters on n-type monocrystalline silicon substrate with boron precursor layer, sheet resistance of 30 Ω/□ was ob- tained and effected lifetime improved significantly after annealing. Solar cell＇s open circuit voltage U∞ reached 597 mV with a conversion efficiency of 13.58%. Demonstrating laser doping is an ef- fective method of preparation of solar cell emitters.

关 键 词：激光 全掺杂 太阳电池 

分 类 号：TM914[电气工程—电力电子与电力传动]