硅太阳电池前表面发射极钝化研究  

作　　者：刘文峰[1] 周大良[1] 杨晓生[1] 成文[1] 姬常晓 

机构地区：[1]中国电子科技集团第四十八研究所国家光伏装备工程技术研究中心

出　　处：《太阳能》2014年第6期30-33,共4页Solar Energy

基　　金：国家科技部863计划课题资助项目(2012AA050303)

摘　　要：介绍了表面钝化技术在晶体硅太阳电池中的发展和应用,详细阐述了采用热氧化和氢氟酸减薄的方法来制备SiO2钝化膜。实验分别采用800℃、850℃、900℃和950℃对发射极进行热氧化,通过浓度2.5%的HF将钝化膜减薄,制备成电池片。通过测试氧化前后电性能参数、扩散方阻、接触电势和量子效率的变化,确认了最佳氧化条件。实验表明:在850℃、15 min的条件下,SiO2钝化膜能很好地降低硅片的表面复合,提升短波响应,使开路电压和短路电流均得到提升,平均转换效率提高0.23%。

关 键 词：硅太阳电池 表面钝化 表面复合 

分 类 号：TM914.41[电气工程—电力电子与电力传动]