夹心式a—Si：H光阴极  

作　　者：陈元星[1] 海宇涵[1] 等 

机构地区：[1]中国科学院电子所，北京

出　　处：《薄膜科学与技术》1991年第4期59-62,共4页

摘　　要：为了提高a-Si:H光电发射的量子效率，设计了夹心式场增强结构。此结构是SnO2-n-pa-Si:H-AI:Cs:O，并在光阴极动态试验系统上进行了初步实验研究，它的光谱响应复盖整个可见光区，长玻限在0.82um，知值波长0.56um。光电发射灵敏度与所加偏压有关，在15V偏压下，积分灵敏度为30um/Lm，峰值量子效率为2.1%。

关 键 词：非晶硅 薄膜 光阴极 夹心式aSi:H 量子效率 

分 类 号：TN103[电子电信—物理电子学]