夹心式a—Si:H光阴极  

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作  者:陈元星[1] 海宇涵[1]  

机构地区:[1]中国科学院电子所,北京

出  处:《薄膜科学与技术》1991年第4期59-62,共4页

摘  要:为了提高a-Si:H光电发射的量子效率,设计了夹心式场增强结构。此结构是SnO2-n-pa-Si:H-AI:Cs:O,并在光阴极动态试验系统上进行了初步实验研究,它的光谱响应复盖整个可见光区,长玻限在0.82um,知值波长0.56um。光电发射灵敏度与所加偏压有关,在15V偏压下,积分灵敏度为30um/Lm,峰值量子效率为2.1%。

关 键 词:非晶硅 薄膜 光阴极 夹心式aSi:H 量子效率 

分 类 号:TN103[电子电信—物理电子学]

 

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