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作 者:王正平[1] 孙洵[1] 许心光[1] 孙连科[1] 张少军[1] 孟宪林[1] 程瑞平[1] 邵宗书[1]
机构地区:[1]山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100
出 处:《量子电子学报》2001年第2期103-106,共4页Chinese Journal of Quantum Electronics
摘 要:对四种掺杂浓度的Nd:YVO4晶体进行了激光性质的研究和对比.从LD端面泵浦固体激光器的理论出发,结合实验数据计算了相应晶体的有效受激发射截面σe.结果表明,随Nd3+ 浓度的提高.Nd:YVO4晶体的有效受激发射截面σe逐渐增大,上能级寿命τe不断减小,两者的乘积在2at.%附近达到最大值.The theory of LD end-pumped solid-state lasers is analyzed, and a method that measures the effective stimulated emission cross-sectionσe of laser crystal is ascertained. We compare the threshold and slope efficiency of four Nd:YVO4 crystals which have different doping levels, and calculate the e of these crystals with upper-level life-times that have measured by us. Our results show that the 1.9at% Nd:YVO4 crystal has aσeτe of 18.3μscm which is largest in all the four samples.
关 键 词:LD端面泵浦 固体激光器 ND:YVO4晶体 掺杂浓度 有效受激发射截面
分 类 号:TN248.1[电子电信—物理电子学] O432.12[机械工程—光学工程]
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