无压烧结氮化硅陶瓷的研究  

作　　者：孙英南[1] 周盛年[1] 王林山[1] 

机构地区：[1]东北大学理学院

出　　处：《陶瓷工程》1994年第6期19-25,共7页Ceramics Engineering

摘　　要：本文选用ＭｇＯ—Ａｌ２Ｏ３作为复合添加剂，采用无压烧结，设计Ｓｉ３Ｎ４一ＭｇＯ—Ａｌ２Ｏ３系烧结体、Ｓｉ３Ｎ４—ＳｉＣ—ＭｇＯ—Ａｌ２Ｏ３系烧结体，研究各种配方在不同成型压力不同烧结条件下烧结体的性能，测定室温抗折强度、体积密度、体积变化和气孔率。通过Ｘ射线衍射分析鉴定烧结体的物相结构，从而确定了最佳工艺范围。

关 键 词：陶瓷 无压烧结 烧成 氮化硅陶瓷 

分 类 号：TQ174.652[化学工程—陶瓷工业]