快速软恢复二极管的发展现状  

作　　者：张海涛[1] 张斌[1] 

机构地区：[1]清华大学核能设计研究院

出　　处：《世界电子元器件》2001年第4期29-33,共5页Global Electronics China

摘　　要：随着电力电子技术的发展,各种变频电路、斩波电路的应用不断扩大,这些电力电子电路中的主回路不论是采用换流关断的晶闸管,还是采用有自关断能力的新型电力电子器件,如GTO,MCT,IGBT等,都需要一个与之并联的快速二极管,以通过负载中的无功电流,减小电容的充电时间,同时抑制因负载电流瞬时反向而感应的高电压.由于这些电力电子器件的频率和性能不断提高,为了与其关断过程相匹配,该二极管必须具有快速开通和高速关断能力,即具有短的反向恢复时间trr,较小的反向恢复电流IRRM和软恢复特性.

关 键 词：快速恢复二极管 性能 寿命 

分 类 号：TN312[电子电信—物理电子学]