AlGaAs／GaAs超晶格界面平整度的X射线双晶衍射研究  

Study of AlGaAs/GaAs Supperlattice Interface Rroughness by X-Ray Double-Crystal Diffraction

作　　者：庄岩[1] 王玉田[1] 李建中[1] 

机构地区：[1]国家光电子工艺中心,中国科学院半导体研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》1995年第5期334-338,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：用Ｘ射线运动学的多层膜干涉理论，模拟计算了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ超晶格Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线．提出了一种具有整数分子层的界面过渡层理论模型，并运用此理论研究了零级卫星峰的峰峰位的漂移，过渡层对超晶格卫星峰强度的影响以及低级卫星峰的规律性消光规律．Abstract Kinematical X-Ray studies and a model of interface roughness have been carried out for AlGaAs/GaAs supperlattice. The shift of zero-order satellites' position and the variation satellites' intensity are discussed. The regulation of satellites extinction may be related to the ratio of the thickness of GaAs layer and AlGaAs layer.

关 键 词：镓铝砷 砷化镓 超晶格 X射线 衍射 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学] TN304.23