单片式红外焦平面阵列的进展  

Development in Monolithic infrared Focal Plane Arrays

作　　者：程开富[1] 

机构地区：[1]重庆光电技术研究所,重庆市永川632163

出　　处：《半导体光电》1991年第1期42-47,51,共7页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：本文着重介绍金属硅化物肖特基势垒红外探测器阵列(MSSBIRDA)、碲镉汞电荷注入器件(HgCdTeCID)、电荷成像矩阵(CIM)、锑化铟电荷注入器件(InSbCID)以及砷化镓/砷铝镓(GaAs/GaAlAs)多量子阱单片式红外焦平面阵列的现状。The paper describes development and the state of the art of metal silicide Schottky barrier infrared detector arrays(MSSBIRDA)as well as HgCdTe charge injection devices(CID)and charge imaging matrix(CIM),InSb CID and GaAs/GaAlAs multiple quantum well monolithic infrared focal plane arrays.

关 键 词：肖特基势垒红外探测器 电荷注入器件 电荷成像矩阵 红外焦平面阵列 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]