不同磁相纳米颗粒膜的巨磁电阻  

GIANT MAGNETORESISTANCE OF NANO-GRANULAR ALLOYS WITH DISTINCT MAGNETIC PHASES

作　　者：唐多强[1] 普敏莉[2] 杨新娥[2] 

机构地区：[1]天津大学应用物理学系,天津市300072 [2]天津大学

出　　处：《材料研究学报》2000年第B01期200-204,共5页Chinese Journal of Materials Research

基　　金：国家自然科学基金!19477105

摘　　要：用玻恩（Ｂｏｒｎ）散射方法计算了具有两类不同磁相的颗粒膜的巨磁电阻（ＧＭＲ），结果表明，在低温（４．５Ｋ），小磁性颗粒（包含原子数ｎ≤ １２）对巨磁电阻只有很小的贡献，巨磁电阻值随颗粒包含原子数的增多而增加在室温下，巨磁电阻主要由大磁性颗粒（ｎ　１２）产生理论计算较好地解释了实验所观测到的结果．The giant magnetoresistance (GMR) of magnetic granular films with two distinct phases was calculated by using Born approximation. The results showed that at low temperature (T=4.5K) small clusters contained magnetic atom number n <12 had only a minor contribution to the GMR and the GMR increased with number of the atoms. At room temperature, large magnetic granules (n >>12) dominated the GMR. The theoretical calculation interpreted well the experimental observation reported.

关 键 词：纳米结构 磁性颗粒膜 巨磁电阻 玻恩散射方法 

分 类 号：TM271[一般工业技术—材料科学与工程] TB383[电气工程—电工理论与新技术]